ISC151N08NM6ATMA1 vs IAUT165N08S5N029ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon e IAUT165N08S5N029ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro ISC151N08NM6ATMA1 IAUT165N08S5N029ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $2,30
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (TA=25°C) 9.2 A —
Corrente de dreno contínua (TC=25°C) 37 A —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
On-Resistance RDS(on) max 15.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Technology OptiMOS 6 —
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 8 —
Channel Mode Enhancement —
Temperatura de operação -55 °C to +175 °C —
Status RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IAUT165N08S5N029ATMA2
Product Family — OptiMOS™ 5
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) — 165 A
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) — 660 A
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) — 2.9 mΩ (typical)
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) — 167 W
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) — 225 mJ
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C (T<sub>j</sub>)
Encapsulamento / Caixa — PG-HSOF-8-1 (8+Tab, Surface Mount)
MSL Rating — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)
Avalanche Tested — 100% Avalanche Tested

Fichas técnicas e recursos

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