ISC151N08NM6ATMA1 vs IQD005N04NM6ATMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von ISC151N08NM6ATMA1 von Infineon und IQD005N04NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | ISC151N08NM6ATMA1 | IQD005N04NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,78 | $0,82 |
| Transistortyp | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Gehäuse | PG-TDSON-8 FL | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6 mm) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Anzahl der Pins | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Betriebstemperatur | -55 °C to +175 °C | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 6 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 58 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 610 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 0.5 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 333 W |
| Betriebstemperaturbereich | — | -55C to +150C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| MSL-Level | — | 1 |