ISC151N08NM6ATMA1 vs IQD005N04NM6ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon e IQD005N04NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | ISC151N08NM6ATMA1 | IQD005N04NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,78 | $0,82 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| Corrente de dreno contínua (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 FL | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Número de pinos | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Temperatura de operação | -55 °C to +175 °C | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 6 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 58 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 610 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 0.5 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 333 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55C to +150C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Nível MSL | — | 1 |