ISCH99N04NM7VATMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISCH99N04NM7VATMA1 von Infineon und IPC100N04S5L1R5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter ISCH99N04NM7VATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $1,18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current at Ta (I_D) 40 A —
Pulsed Drain Current at Tc (I_DM) 284 A —
Power Dissipation at Ta (P_D) 3 W —
Power Dissipation at Tc (P_D) 150 W —
Gate Threshold Voltage (V_th) Up to 3.2 V —
Gehäuse PG-TDSON-8 (TDSON-8 FL) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant (Green Product)
Technology OptiMOS 7 Trench Power MOSFET —
Operating Mode Enhancement-mode —
Target Application 12 V to 48 V Motor Drives —
Product Family — OptiMOS-5 40 V
Polarity / Channel Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 115 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 1.5 mOhm (typ)
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V — 1.8 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C
MSL-Level — MSL1 (260C peak reflow)
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Tested — 100%

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