ISZ028N03LF2SATMA1 vs BSC340N08NS3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISZ028N03LF2SATMA1 von Infineon und BSC340N08NS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISZ028N03LF2SATMA1 BSC340N08NS3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,49 $0,81
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) OptiMOS 3 (N-Channel Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 128 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 92 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V —
On-Resistance (RDS(on)) max 2.8 mΩ —
Power Dissipation (Tc) 83 W 32 W
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Gehäuse PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction, typical) -55C to +150C
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (logic level at 4.5 V) —
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level 1 1
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC340N08NS3GATMA1
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 23 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 7 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 34 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
RoHS / Lead-Free — RoHS compliant, lead-free
Channel Type — Single N-Channel
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

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