ISZ028N03LF2SATMA1 vs BSC340N08NS3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISZ028N03LF2SATMA1 par Infineon et BSC340N08NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISZ028N03LF2SATMA1 BSC340N08NS3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,49 $0,81
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) OptiMOS 3 (N-Channel Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 128 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 92 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V —
On-Resistance (RDS(on)) max 2.8 mΩ —
Power Dissipation (Tc) 83 W 32 W
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Boîtier PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction, typical) -55C to +150C
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (logic level at 4.5 V) —
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL 1 1
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC340N08NS3GATMA1
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 23 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 7 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 34 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
RoHS / Lead-Free — RoHS compliant, lead-free
Channel Type — Single N-Channel
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

Fiches techniques et ressources

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