ISZ072N06NM6ATMA1 vs ISC060N06NM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISZ072N06NM6ATMA1 von Infineon und ISC060N06NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter ISZ072N06NM6ATMA1 ISC060N06NM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,38 $0,33
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 57 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 12.7 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Verlustleistung (TC=25°C) 50 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Gehäuse PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) PG-TDSON-8 (TDSON-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C ( Tj max 175C ) -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family)
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 6 (60V generation)
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Series — OptiMOS 6
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 15.2 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 62 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 50 W
Configuration — Single N-Channel
Gate Drive — Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on))
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ/nC]

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