JMTG070N06A vs JMTG100N06A Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von JMTG070N06A von Jiejie Micro und JMTG100N06A von Jiejie Micro. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter JMTG070N06A JMTG100N06A
Marke Jiejie Micro Jiejie Micro
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,45 $0,15
Manufacturer Jiejie Micro (JJW) Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd
Part Number JMTG070N06A —
Polarity / Type N-channel Enhancement Mode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 70 A —
On-Resistance RDS(ON) < 6 mOhm @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology Advanced Trench MOSFET —
Gehäuse PDFN5x6-8L (Power DFN 5x6 mm, 8 leads) PDFN5x6-8L (Power DFN 5×6 mm, 8 leads)
Montageart Surface Mount (SMD) Surface Mount
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) IAS = 27 A at VDD = 30 V, L = 0.5 mH, Rg = 25 ohm (TJ = 25 degC) —
Lead Status Lead free / RoHS compliant —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: TJ max and operating range] —
Thermal Resistance RthJA [DATA_NEEDED: theta_JA] —
Configuration Single N-channel MOSFET —
Transistortyp — N-Channel Power Trench MOSFET
Drain-Source Voltage V(DSS) — 60 V
Continuous Drain Current I(D) — 55 A (at V(GS)=10 V, T(C)=25 °C)
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=10 V — 7.7 mΩ
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=4.5 V — 8.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V(GS(th)) Typ — 1.5 V
Plating — Pb-free
Halogenfrei — Yes
RoHS — Compliant
UIS (Avalanche) Tested — 100 %
V(DS) Tested — 100 %
EAS Test Condition — T(J)=25 °C, V(DD)=30 V, V(G)=10 V, L=0.5 mH, R(g)=25 Ω, I(AS)=22 A
Primary Applications — Load Switch, PWM, DC-DC, Motor Drive

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