K3KL8L80DM-MGCU vs K3KL8L80CM-MGCT Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K3KL8L80DM-MGCU von Samsung Electronics und K3KL8L80CM-MGCT von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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K3KL8L80DM-MGCU K3KL8L80DM-MGCU - 8Gb LPDDR5X DRAM 1Gx32 | Samsung

K3KL8L80DM-MGCU - 8Gb LPDDR5X DRAM 1Gx32 | Samsung

K3KL8L80DM-MGCU ✓ Aktiv
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K3KL8L80CM-MGCT K3KL8L80CM-MGCT - 32Gb LPDDR5X SDRAM x32 | Samsung

K3KL8L80CM-MGCT - 32Gb LPDDR5X SDRAM x32 | Samsung

K3KL8L80CM-MGCT ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K3KL8L80DM-MGCU K3KL8L80CM-MGCT
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs DRAM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $0,00
Speichertyp LPDDR5X SDRAM LPDDR5X SDRAM
Density 8 Gbit 32 Gbit (4 GB)
Speicherorganisation 1G x 32 x32
Supply Voltage (VDD) 1.05 V —
Gehäuse FBGA-315 315-ball FBGA
Montageart Surface Mount Surface Mount
Schnittstelle LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 backward-compatible) LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 extension)
Datenrate [DATA_NEEDED: max data rate / speed grade] —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] -25C to +85C
Refresh Self-refresh with per-bank refresh support —
Power Management Deep Sleep Mode (LPDDR5 feature set) —
Configuration Single-die, 32-bit bus —
RoHS-Status unknown Compliant (per JLCPCB listing)
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: MSL Level]
Application Segment Mobile / Automotive / Edge AI Mobile, Automotive, On-device AI, PC
Max Data Rate — 7500 Mbps
Clock Frequency — 3750 MHz
Core Supply Voltage (VDD) — 1.05 V
I/O Supply Voltage (VDDQ) — 900 mV (500 mV low-power mode)
VDD2 Supply Voltage — 1.8 V
Power Efficiency — ~20-25% improvement vs LPDDR5 (per Samsung)

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