K3KL8L80DM-MGCU vs K3KL8L80CM-MGCT Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K3KL8L80DM-MGCU par Samsung Electronics et K3KL8L80CM-MGCT par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K3KL8L80DM-MGCU | K3KL8L80CM-MGCT |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Type de mémoire | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 32 Gbit (4 GB) |
| Organisation de la mémoire | 1G x 32 | x32 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.05 V | — |
| Boîtier | FBGA-315 | 315-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 backward-compatible) | LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 extension) |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: max data rate / speed grade] | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -25C to +85C |
| Refresh | Self-refresh with per-bank refresh support | — |
| Power Management | Deep Sleep Mode (LPDDR5 feature set) | — |
| Configuration | Single-die, 32-bit bus | — |
| Statut RoHS | unknown | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Application Segment | Mobile / Automotive / Edge AI | Mobile, Automotive, On-device AI, PC |
| Max Data Rate | — | 7500 Mbps |
| Clock Frequency | — | 3750 MHz |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.05 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 900 mV (500 mV low-power mode) |
| VDD2 Supply Voltage | — | 1.8 V |
| Power Efficiency | — | ~20-25% improvement vs LPDDR5 (per Samsung) |