K4A4G085WD-BCPB vs K4A4G085WD-BCTD Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A4G085WD-BCPB von Samsung Electronics und K4A4G085WD-BCTD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A4G085WD-BCPB | K4A4G085WD-BCTD |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $2,05 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Speicherorganisation | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Die Generation | D-die | D-die |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Schnittstelle | DDR4 (Double Data Rate 4) | DDR4 (JEDEC-compatible) |
| Gehäuse | FBGA-78 (PB) | 78-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Speed Grade / Data Rate | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| RoHS-Status | Compliant (PB lead-free suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Halogenfrei | [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Datasheet Pages | 66 pages (K4A4G085WD family datasheet) | — |
| Datenrate | — | 2666 Mbps/pin |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Class | — | DDR4-2666 (PC4-21300) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |