K4A4G085WD-BCPB vs K4A4G085WD-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WD-BCPB par Samsung Electronics et K4A4G085WD-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WD-BCPB | K4A4G085WD-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $2,05 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Die Generation | D-die | D-die |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Interface | DDR4 (Double Data Rate 4) | DDR4 (JEDEC-compatible) |
| Boîtier | FBGA-78 (PB) | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Speed Grade / Data Rate | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| Statut RoHS | Compliant (PB lead-free suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Sans halogène | [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Datasheet Pages | 66 pages (K4A4G085WD family datasheet) | — |
| Débit de données | — | 2666 Mbps/pin |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Class | — | DDR4-2666 (PC4-21300) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |