K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G085WB-BCPB Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WB-BCRC von Samsung Electronics und K4A8G085WB-BCPB von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCRC ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WB-BCRC | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,80 | $13,78 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Speicherorganisation | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Datenrate | 2400 Mbps | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V (nominal) |
| Betriebstemperatur | 0°C to 85°C | — |
| Gehäuse | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) |
| RoHS | Compliant | — |
| Speed Grade | — | BC |
| CAS Latency (CL) | — | 22 |
| Bank Architecture | — | 16 banks (4 bank groups) |
| Refresh Interval | — | 7.8 us (up to 85C) |
| Schnittstellentyp | — | SSTL-12 |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Package Dimensions | — | 11 mm x 11 mm |
| Montageart | — | Surface Mount (BGA) |
| Operating Mode | — | DLL enabled |
| RoHS-Status | — | Compliant |