K4A8G085WB-BITD vs K4A8G085WB-BICR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WB-BITD von Samsung Electronics und K4A8G085WB-BICR von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WB-BITD | K4A8G085WB-BICR |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $3,80 | $4,25 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Speicherorganisation | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Datenrate | 2666 Mbps | 2400 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V (VDD/VDDQ) |
| Betriebstemperatur | -40°C to +95°C | — |
| Gehäuse | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Anzahl der Pins | 78 | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Number of Banks | — | 16 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Pin-Anzahl | — | 78 |
| Temperature Grade | — | Industrial (I-grade) |
| Betriebstemperaturbereich | — | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] |
| Die / Process | — | Samsung 8Gb B-die DDR4 |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Refresh Management | — | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported |