K4A8G085WB-BITD vs K4A8G085WB-BICR 对比

详细并排对比 K4A8G085WB-BITD 出自 Samsung Electronics 和 K4A8G085WB-BICR 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BITD K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD ✓ 量产中
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K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ 量产中

规格对比

参数 K4A8G085WB-BITD K4A8G085WB-BICR
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $3.80 $4.25
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
存储组织 1G x 8 1G x 8
数据速率 2666 Mbps 2400 Mbps
电源电压 1.2 V 1.2 V (VDD/VDDQ)
工作温度 -40°C to +95°C —
封装 78FBGA 78-ball FBGA
安装类型 Surface Mount Surface Mount
引脚数 78 —
CAS 延迟 [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
接口 Parallel —
RoHS 状态 Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Number of Banks — 16
Refresh Cycles — 8192
引脚数量 — 78
Temperature Grade — Industrial (I-grade)
工作温度范围 — [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix]
Die / Process — Samsung 8Gb B-die DDR4
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
Refresh Management — Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported

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