K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BICH Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WB-BIWE von Samsung Electronics und K4A8G085WB-BICH von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $4,96 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2V |
| Betriebstemperatur | 0°C to +85°C | 0°C to 85°C |
| Gehäuse | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CL value] | Programmable |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Density | — | 8Gb |
| Speicherorganisation | — | 1G x 8 |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Die Revision | — | B-die |