K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G165WB-BCPB Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BCTD von Samsung Electronics und K4A8G165WB-BCPB von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BCTD | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $37,00 | $2,30 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Total Density | 8 Gb | — |
| Datenrate | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA-96) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (TC) | 0°C to 85°C |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CL value] | Programmable (e.g., 15, 16, 18) |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto and Self Refresh |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speed Grade | — | 2133 Mbps (PC4-17000) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Burst Type | — | Sequential and Interleave |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Position | — | BOTTOM |
| RoHS-Status | — | Compliant |