K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G165WB-BCPB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WB-BCTD par Samsung Electronics et K4A8G165WB-BCPB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WB-BCTD | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $37,00 | $2,30 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Total Density | 8 Gb | — |
| Débit de données | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA-96) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (TC) | 0°C to 85°C |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | Programmable (e.g., 15, 16, 18) |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto and Self Refresh |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speed Grade | — | 2133 Mbps (PC4-17000) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Burst Type | — | Sequential and Interleave |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Position | — | BOTTOM |
| Statut RoHS | — | Compliant |