K4A8G165WC-BCRC vs K4AAG165WM-BCRC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WC-BCRC von Samsung Electronics und K4AAG165WM-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung
K4AAG165WM-BCRC ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WC-BCRC | K4AAG165WM-BCRC |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $23,00 | $22,60 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 16 Gb |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 1G x 16 |
| Datenrate | 2400 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (case) | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | 96-ball FBGA |
| Schnittstelle | 16-bit I/O | DDR4 (SSTL-12) |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| CAS-Latenz | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | — |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] |
| RoHS-Status | — | Compliant |