K4AAG165WM-BCRC vs K4AAG165WM-BCTD Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4AAG165WM-BCRC von Samsung Electronics und K4AAG165WM-BCTD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung
K4AAG165WM-BCRC ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4AAG165WM-BCRC | K4AAG165WM-BCTD |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $22,60 | $62,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| Speicherorganisation | 1G x 16 | 1G x 16 |
| Datenrate | 3200 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Schnittstelle | DDR4 (SSTL-12) | SSTL-12 |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder reflow) |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | Yes |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] | 0C to +85C |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] | — |
| RoHS-Status | Compliant | RoHS (per LCSC listing) |
| Speed | — | 2666 Mbps |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Data Mask | — | Yes |