K4AAG165WM-BCRC vs K4AAG165WM-BCTD Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4AAG165WM-BCRC por Samsung Electronics e K4AAG165WM-BCTD por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung
K4AAG165WM-BCRC ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4AAG165WM-BCRC | K4AAG165WM-BCTD |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $22,60 | $62,00 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| Organização da memória | 1G x 16 | 1G x 16 |
| Taxa de dados | 3200 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Interface | DDR4 (SSTL-12) | SSTL-12 |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder reflow) |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | Yes |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] | 0C to +85C |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] | — |
| Status RoHS | Compliant | RoHS (per LCSC listing) |
| Speed | — | 2666 Mbps |
| Tensão de alimentação | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Data Mask | — | Yes |