K4B4G1646D-BFMA vs K4B4G1646Q Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BFMA von Samsung Electronics und K4B4G1646Q von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BFMA | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Speichertyp | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenrate | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Versorgungsspannung | 1.5V | 1.35V |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (BL8) |
| CAS-Latenz | Programmable | Programmable |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT) |
| Temperature Range | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | Yes |
| Datenbusbreite | — | 16 bits |
| Die | — | Q-die |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Betriebstemperatur | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |