K4B4G1646D-BPH90 vs K4B4G1646D-BCK00 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BPH90 von Samsung Electronics und K4B4G1646D-BCK00 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BPH90 ✓ AktivSamsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BPH90 | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,60 | $5,90 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Speicherorganisation | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Datenrate | 2133 Mb/s per pin | 1600 Mbps/pin |
| Versorgungsspannung | 1.35V (DDR3L) | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Gehäuse | 96FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +85°C | 0°C to 95°C (Tcase) |
| CAS-Latenz | Programmable up to 14 | 11 (at 1600 Mbps) |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| RoHS | — | Compliant |