K4B4G1646D-BPH90 vs K4B4G1646D-BHMA Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BPH90 von Samsung Electronics und K4B4G1646D-BHMA von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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K4B4G1646D-BPH90 K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

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K4B4G1646D-BHMA K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4B4G1646D-BPH90 K4B4G1646D-BHMA
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $7,60 $2,90
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
Speicherorganisation 32M x 16 256M x 16
Number of Banks 8 —
Datenrate 2133 Mb/s per pin 1866 Mbps
Versorgungsspannung 1.35V (DDR3L) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Gehäuse 96FBGA 96-ball FBGA
Betriebstemperatur 0°C to +85°C -40°C to +95°C (TC)
CAS-Latenz Programmable up to 14 13 (at 1866 Mbps)
Burst Length 8, 4 (with burst chop) 8 and 4
On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Lead-Free Yes Yes
Halogenfrei Yes Yes
RoHS Compliant Yes Yes
Number of Terminals — 96
Die Version — D-die
Refresh Mode — Auto and Self Refresh

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