K4B4G1646D-BPH90 vs K4B4G1646D-BHMA Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646D-BPH90 por Samsung Electronics e K4B4G1646D-BHMA por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

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K4B4G1646D-BPH90 K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BPH90 ✓ Ativo
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K4B4G1646D-BHMA K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4B4G1646D-BPH90 K4B4G1646D-BHMA
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $7,60 $2,90
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
Organização da memória 32M x 16 256M x 16
Number of Banks 8 —
Taxa de dados 2133 Mb/s per pin 1866 Mbps
Tensão de alimentação 1.35V (DDR3L) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Encapsulamento 96FBGA 96-ball FBGA
Temperatura de operação 0°C to +85°C -40°C to +95°C (TC)
Latência CAS Programmable up to 14 13 (at 1866 Mbps)
Burst Length 8, 4 (with burst chop) 8 and 4
On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Lead-Free Yes Yes
Livre de halogênio Yes Yes
RoHS Compliant Yes Yes
Number of Terminals — 96
Die Version — D-die
Refresh Mode — Auto and Self Refresh

Fichas técnicas e recursos

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