K4B4G1646D-BYH9 vs K4B4G1646D-BYK0 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BYH9 von Samsung Electronics und K4B4G1646D-BYK0 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BYH9 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,30 | $2,90 |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenrate | 1333 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Betriebstemperatur | 0 ~ 85 °C | 0°C to 85°C |
| Gehäuse | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS-Latenz | Programmable | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Die Version | D-die | — |
| Speichertyp | — | DDR3L SDRAM |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |