K4B4G1646D-BYK00 vs H5AN8G6NCJR-XXC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BYK00 von Samsung Electronics und H5AN8G6NCJR-xxC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BYK00 | H5AN8G6NCJR-xxC |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,50 | $6,50 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 8 Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 512M x 16 |
| Datenrate | 1600 Mbps | 2666 Mbps (VKC speed grade) |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | — |
| Gehäuse | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Betriebstemperatur | 0°C to 85°C | — |
| CAS-Latenz | Programmable | — |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Supply | — | 2.5 V |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to 95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported |
| Self-Refresh | — | Temperature-compensated (TCSR) |
| Montageart | — | Surface Mount |