K4B4G1646E-BYK000 vs K4B4G1646 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646E-BYK000 von Samsung Electronics und K4B4G1646 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646E-BYK000 | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,56 | $11,96 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | — |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (BYK) | 96-FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Eigenschaften | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Access Time | 1.25 ns | — |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Versorgungsspannung | — | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |