K4B4G1646E-BYK000 vs K4B4G1646 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646E-BYK000 por Samsung Electronics e K4B4G1646 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK000 K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 ✓ Ativo
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K4B4G1646 K4B4G1646 - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96-FBGA | Samsung

K4B4G1646 - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96-FBGA | Samsung

K4B4G1646 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4B4G1646E-BYK000 K4B4G1646
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,56 $11,96
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3 SDRAM
Tamanho da memória 4 Gbit 4 Gbit
Organização da memória 256M x 16 256M x 16
Speed Grade DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) —
Clock Frequency 800 MHz —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) —
Number of Banks [DATA_NEEDED: bank count] —
Die Process Samsung E-die —
Encapsulamento 96-FBGA (BYK) 96-FBGA
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Interface Parallel Parallel
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Recursos Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Access Time 1.25 ns —
Max Data Rate — Up to 2133 Mbps (grade dependent)
Clock Frequency Range — 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent)
Tensão de alimentação — 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V)
On-Chip Termination (ODT) — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask Function — Yes
Die Revisions — B-die, D-die, Q-die (DDR3L)
Nível MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fichas técnicas e recursos

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