K4B4G1646F-BYK0 vs K4B4G1646E-BCMA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646F-BYK0 von Samsung Electronics und K4B4G1646E-BCMA von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung
K4B4G1646E-BCMA ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646F-BYK0 | K4B4G1646E-BCMA |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,80 | $3,77 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| Versorgungsspannung | 1.35V / 1.5V | 1.425 V to 1.575 V (1.5 V nominal) |
| Datenrate | 1866 Mbps | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | FBGA-96 (7.5 x 13.3 mm) |
| Betriebstemperatur | 0°C to 95°C (TC) | 0C to +95C |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| CAS-Latenz | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Speicherorganisation | — | 256M x 16 |
| Clock / Data Rate | — | 1066 MHz / 1066 Mbps per data pin |
| Operating Supply Current (IDD) | — | 55 mA |
| Standby Current | — | 2 mA |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Dynamic ODT supported |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Montageart | — | Surface Mount (BGA) |
| RoHS-Status | — | Compliant |