K4RAH086VB-BCQK vs K4RBH086VB-BCQK Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4RAH086VB-BCQK von Samsung Electronics und K4RBH086VB-BCQK von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCQK K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK ✓ Aktiv
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K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4RAH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $41,02 $0,00
Speichertyp DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
Speicherorganisation 2G x 8 2G x 8
Datenrate 4800 Mbps (DDR5-4800) 4800 Mbps
Clock Frequency 2400 MHz —
Supply Voltage (VDD) 1.1 V 1.1 V
Schnittstelle Parallel DDR5 (CA bus, ODECC)
Gehäuse FBGA-82 FBGA-82
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur 0C to 95C (commercial) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
ECC On-die ECC —
Burst Length BL32 (DDR5 standard) —
Memory Format DRAM (volatile) —
DLL Mode DLL Enabled (datasheet timing basis) —
Product Status Active —
Packaging Tray [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity]
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
On-die ECC — Yes
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps]
Power Supply Rails — VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Datenblätter & Ressourcen

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