K4RAH086VB-BCQK vs K4RBH086VB-BCQK Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4RAH086VB-BCQK por Samsung Electronics y K4RBH086VB-BCQK por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCQK K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK ✓ Activo
Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4RAH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $41,02 $0,00
Tipo de memoria DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
Organización de memoria 2G x 8 2G x 8
Velocidad de datos 4800 Mbps (DDR5-4800) 4800 Mbps
Clock Frequency 2400 MHz —
Supply Voltage (VDD) 1.1 V 1.1 V
Interfaz Parallel DDR5 (CA bus, ODECC)
Encapsulado FBGA-82 FBGA-82
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento 0C to 95C (commercial) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
ECC On-die ECC —
Burst Length BL32 (DDR5 standard) —
Memory Format DRAM (volatile) —
DLL Mode DLL Enabled (datasheet timing basis) —
Product Status Active —
Packaging Tray [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity]
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
On-die ECC — Yes
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps]
Power Supply Rails — VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module)
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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