K4RAH086VB-BCQK vs K4RHE086VB-BCWM Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RAH086VB-BCQK von Samsung Electronics und K4RHE086VB-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4RAH086VB-BCQK | K4RHE086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $41,02 | $7,65 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 24 Gb |
| Speicherorganisation | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Datenrate | 4800 Mbps (DDR5-4800) | 5600 Mbps |
| Clock Frequency | 2400 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Schnittstelle | Parallel | DDR5 (JEDEC) |
| Gehäuse | FBGA-82 | 82 FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0C to 95C (commercial) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | BL32 (DDR5 standard) | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (datasheet timing basis) | — |
| Product Status | Active | — |
| Packaging | Tray | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Versorgungsspannung | — | 1.1 V |
| Configuration | — | x8 |
| Application Segment | — | Server / Data Center / Premium PC |
| Manufacturer | — | Samsung Semiconductor |
| Access Time / CAS Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| On-Die ECC | — | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package height] |