K4RAH086VB-BCQK vs K4RHE086VB-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH086VB-BCQK par Samsung Electronics et K4RHE086VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH086VB-BCQK | K4RHE086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $41,02 | $7,65 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 24 Gb |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Débit de données | 4800 Mbps (DDR5-4800) | 5600 Mbps |
| Clock Frequency | 2400 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Interface | Parallel | DDR5 (JEDEC) |
| Boîtier | FBGA-82 | 82 FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to 95C (commercial) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | BL32 (DDR5 standard) | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (datasheet timing basis) | — |
| Product Status | Active | — |
| Packaging | Tray | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Tension d'alimentation | — | 1.1 V |
| Configuration | — | x8 |
| Application Segment | — | Server / Data Center / Premium PC |
| Manufacturer | — | Samsung Semiconductor |
| Access Time / CAS Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| On-Die ECC | — | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package height] |