K4RAH086VP-BCWM vs K4RAH086VB-BCQK Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RAH086VP-BCWM von Samsung Electronics und K4RAH086VB-BCQK von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4RAH086VP-BCWM | K4RAH086VB-BCQK |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $41,02 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Speichergröße | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| Datenrate | 5600 Mbps/pin | 4800 Mbps (DDR5-4800) |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | — |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Technology | DRAM DDR5 | — |
| Memory Format | DRAM | DRAM (volatile) |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Gehäuse | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] | FBGA-82 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | Tray |
| Application Segment | Industrial | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to 95C (commercial) |
| Lebenszyklusstatus | Active | — |
| RoHS-Status | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Speicherorganisation | — | 2G x 8 |
| Clock Frequency | — | 2400 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| ECC | — | On-die ECC |
| Burst Length | — | BL32 (DDR5 standard) |
| DLL Mode | — | DLL Enabled (datasheet timing basis) |
| Product Status | — | Active |