K4RAH086VP-BCWM vs K4RAH086VB-BCQK 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4RAH086VP-BCWM 제조: Samsung Electronics 및 K4RAH086VB-BCQK 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4RAH086VP-BCWM | K4RAH086VB-BCQK |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $41.02 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| 메모리 크기 | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| 데이터 속도 | 5600 Mbps/pin | 4800 Mbps (DDR5-4800) |
| 공급 전압 | 1.1 V | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Technology | DRAM DDR5 | — |
| Memory Format | DRAM | DRAM (volatile) |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| 패키지 | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] | FBGA-82 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | Tray |
| Application Segment | Industrial | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to 95C (commercial) |
| 수명 주기 상태 | Active | — |
| RoHS 상태 | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 16 Gb |
| 메모리 구성 | — | 2G x 8 |
| Clock Frequency | — | 2400 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| ECC | — | On-die ECC |
| Burst Length | — | BL32 (DDR5 standard) |
| DLL Mode | — | DLL Enabled (datasheet timing basis) |
| Product Status | — | Active |