K4RAH086VP-BCWM vs K4RHE086VB-BCWM Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RAH086VP-BCWM von Samsung Electronics und K4RHE086VB-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4RAH086VP-BCWM | K4RHE086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $7,65 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Speichergröße | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| Datenrate | 5600 Mbps/pin | 5600 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | 1.1 V |
| Schnittstelle | Parallel | DDR5 (JEDEC) |
| Technology | DRAM DDR5 | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Gehäuse | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] | 82 FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Application Segment | Industrial | Server / Data Center / Premium PC |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Lebenszyklusstatus | Active | — |
| RoHS-Status | unknown | unknown |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 24 Gb |
| Speicherorganisation | — | 2G x 8 |
| Configuration | — | x8 |
| Manufacturer | — | Samsung Semiconductor |
| Access Time / CAS Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| On-Die ECC | — | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package height] |