K4RAH165VB-BCQK vs K4RAH086VP-BCWM Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4RAH165VB-BCQK von Samsung Electronics und K4RAH086VP-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Aktiv
Samsung Electronics
K4RAH086VP-BCWM K4RAH086VP-BCWM - 16Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VP-BCWM - 16Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VP-BCWM ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4RAH165VB-BCQK K4RAH086VP-BCWM
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $0,00
Speichertyp DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Speichergröße 16 Gb 16 Gb
Memory Organization 1G x 16 2G x 8
Memory Interface Parallel —
Datenrate 4800 Mbps 5600 Mbps/pin
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Error Correction On-die ECC —
Eigenschaften Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration —
Betriebstemperatur 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gehäuse 106-ball FBGA [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size]
Montageart Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM (volatile) DRAM
Packaging Tray Tray
Lebenszyklusstatus Active Active
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
Unit Price [DATA_NEEDED: unit price] —
Versorgungsspannung — 1.1 V
Schnittstelle — Parallel
Technology — DRAM DDR5
Volatile / Non-Volatile — Volatile
Application Segment — Industrial
MSL-Level — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Datenblätter & Ressourcen

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