K4RAH165VB-BCQK vs K4RAH086VP-BCWM Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4RAH165VB-BCQK por Samsung Electronics e K4RAH086VP-BCWM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4RAH086VP-BCWM K4RAH086VP-BCWM - 16Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VP-BCWM - 16Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VP-BCWM ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4RAH165VB-BCQK K4RAH086VP-BCWM
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $0,00
Tipo de memória DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Tamanho da memória 16 Gb 16 Gb
Memory Organization 1G x 16 2G x 8
Memory Interface Parallel —
Taxa de dados 4800 Mbps 5600 Mbps/pin
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Error Correction On-die ECC —
Recursos Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration —
Temperatura de operação 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulamento 106-ball FBGA [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size]
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM (volatile) DRAM
Packaging Tray Tray
Status do ciclo de vida Active Active
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
Unit Price [DATA_NEEDED: unit price] —
Tensão de alimentação — 1.1 V
Interface — Parallel
Technology — DRAM DDR5
Volatile / Non-Volatile — Volatile
Application Segment — Industrial
Nível MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fichas técnicas e recursos

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