K4RAH165VB-BCWM vs K4RHE165VB-BCWM Vergleich
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Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RHE165VB-BCWM ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4RAH165VB-BCWM | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $9,92 | $0,00 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) | DDR5 SDRAM |
| Speichergröße | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | 1.1 V |
| Technology | DDR5 | — |
| Gehäuse | FBGA-106 | 106 FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | 0 to 85 C |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | up to 7200 Mbps | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS-Status | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Speed Grade (suffix BCWM) | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 24 Gb (3 GB) |
| Speicherorganisation | — | 1G x 16 |
| Datenrate | — | 5600 Mbps |
| Product Status | — | Mass Production |
| Schnittstelle | — | DDR5 (parallel, DDR) |
| Access Type | — | Synchronous |
| Clock Rate (nominal) | — | 2800 MHz (5600 MT/s DDR) |
| Ball Count | — | 106 |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] |