K4RAH165VB-BCWM vs K4RHE165VB-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH165VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RHE165VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RHE165VB-BCWM ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH165VB-BCWM | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,92 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) | DDR5 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Technology | DDR5 | — |
| Boîtier | FBGA-106 | 106 FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | 0 to 85 C |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | up to 7200 Mbps | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Speed Grade (suffix BCWM) | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 24 Gb (3 GB) |
| Organisation de la mémoire | — | 1G x 16 |
| Débit de données | — | 5600 Mbps |
| Product Status | — | Mass Production |
| Interface | — | DDR5 (parallel, DDR) |
| Access Type | — | Synchronous |
| Clock Rate (nominal) | — | 2800 MHz (5600 MT/s DDR) |
| Ball Count | — | 106 |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] |