K4RBH165VB-BCQK vs K4RAH086VB-BCQK Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4RBH165VB-BCQK von Samsung Electronics und K4RAH086VB-BCQK von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4RBH165VB-BCQK K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK ✓ Aktiv
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K4RAH086VB-BCQK K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4RBH165VB-BCQK K4RAH086VB-BCQK
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $41,02
Speichertyp DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Speichergröße 16 Gb —
Speicherorganisation 1G x 16 2G x 8
Datenrate 4800 Mbps/pin 4800 Mbps (DDR5-4800)
Speed Grade BCQK (4800 Mbps) —
Betriebstemperatur 0 C to +85 C 0C to 95C (commercial)
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Error Correction On-chip (on-die) ECC —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Versorgungsspannung [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD), nominally 1.1 V for DDR5] —
Package Type [DATA_NEEDED: exact package code, expected FBGA surface mount] —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Burst Length [DATA_NEEDED: burst length (BL16 per DDR5 standard)] BL32 (DDR5 standard)
Density — 16 Gb
Clock Frequency — 2400 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Schnittstelle — Parallel
Gehäuse — FBGA-82
ECC — On-die ECC
Memory Format — DRAM (volatile)
DLL Mode — DLL Enabled (datasheet timing basis)
Product Status — Active
Packaging — Tray

Datenblätter & Ressourcen

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