K4RHE086VB-BCWM vs K4RAH086VB-BCWM Vergleich
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Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4RHE086VB-BCWM | K4RAH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,65 | $44,55 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | — |
| Speicherorganisation | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Datenrate | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | 1.1 V |
| Gehäuse | 82 FBGA | FBGA-82 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Schnittstelle | DDR5 (JEDEC) | DDR5 (parallel) |
| Configuration | x8 | — |
| Application Segment | Server / Data Center / Premium PC | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| RoHS-Status | unknown | Compliant |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | Commercial temperature range (per datasheet) |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| Speichergröße | — | 16 Gb |
| Technology | — | DRAM (volatile) |
| Speed Grade | — | BCWM |
| ECC | — | On-die ECC |
| Burst Length | — | 32 (BL32, DDR5 standard) |
| Lebenszyklusstatus | — | Active |
| Sub-channel Architecture | — | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) |