K4RHE086VB-BCWM vs K4RAH086VB-BCWM Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RHE086VB-BCWM por Samsung Electronics y K4RAH086VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4RHE086VB-BCWM | K4RAH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,65 | $44,55 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | — |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | 1.1 V |
| Encapsulado | 82 FBGA | FBGA-82 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | DDR5 (JEDEC) | DDR5 (parallel) |
| Configuration | x8 | — |
| Application Segment | Server / Data Center / Premium PC | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| Estado RoHS | unknown | Compliant |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | Commercial temperature range (per datasheet) |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| Tamaño de memoria | — | 16 Gb |
| Technology | — | DRAM (volatile) |
| Speed Grade | — | BCWM |
| ECC | — | On-die ECC |
| Burst Length | — | 32 (BL32, DDR5 standard) |
| Estado del ciclo de vida | — | Active |
| Sub-channel Architecture | — | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) |