K4RHE086VP vs K4RAH086VP-BCWM Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RHE086VP von Samsung Electronics und K4RAH086VP-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4RHE086VP | K4RAH086VP-BCWM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | DDR5 | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $9,90 | $0,00 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | — |
| Speicherorganisation | x8 | — |
| Process Node | 1a-class (D1a) | — |
| Package Type | FBGA | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Schnittstellentyp | DDR5 (double data rate 5) | — |
| Maximum Data Rate | [DATA_NEEDED: speed bin data rate] | — |
| Supply Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: VDD in V] | — |
| On-Die ECC | Yes (DDR5 standard feature) | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| Betriebstemperaturbereich | [DATA_NEEDED: temperature range] | — |
| Marke | Samsung Electronics | — |
| Product Family | Samsung K4RHE DDR5 series | — |
| Typical Application | Server / client DRAM modules | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Speichergröße | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 2G x 8 |
| Datenrate | — | 5600 Mbps/pin |
| Versorgungsspannung | — | 1.1 V |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Technology | — | DRAM DDR5 |
| Memory Format | — | DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Gehäuse | — | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] |
| Packaging | — | Tray |
| Application Segment | — | Industrial |
| Betriebstemperatur | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Lebenszyklusstatus | — | Active |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |