K4S510432D-UC75T00 vs K4S510432D-UC75 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4S510432D-UC75T00 von Samsung Electronics und K4S510432D-UC75 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4S510432D-UC75T00 K4S510432D-UC75T00 - 512Mb SDRAM 133MHz TSOP II | Samsung

K4S510432D-UC75T00 - 512Mb SDRAM 133MHz TSOP II | Samsung

K4S510432D-UC75T00 ✗ Abgekündigt
Samsung Electronics
K4S510432D-UC75 K4S510432D-UC75 - 512Mb SDRAM 133MHz 54-TSOP II | Samsung

K4S510432D-UC75 - 512Mb SDRAM 133MHz 54-TSOP II | Samsung

K4S510432D-UC75 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4S510432D-UC75T00 K4S510432D-UC75
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs DRAM
Lebenszyklusstatus Ende des Lebenszyklus Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,20 $7,90
Speichertyp SDRAM - Synchronous DRAM SDRAM (Synchronous DRAM)
Speichergröße 512 Mbit 512 Mbit
Speicherorganisation 128M x 4 128M x 4
Clock Frequency 133 MHz 133 MHz
Access Time 65 ns 65 ns
CAS-Latenz 3 (at 133 MHz) 2 or 3
Supply Voltage Range 3.0 V to 3.6 V —
I/O Interface LVTTL —
Bank Architecture 4 banks —
Burst Length 1, 2, 4, 8, full page 1, 2, 4, 8, full page
Refresh Auto-refresh and self-refresh Auto-refresh and self-refresh
Gehäuse 54-TSOP II 54-TSOP II (PDSO54, 0.80 mm pitch)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS, D-die generation CMOS, D-die
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] Commercial temperature range
RoHS-Status Compliant RoHS compliant
Schnittstellentyp — LVTTL
Supply Voltage Min — 3.0 V
Supply Voltage Max — 3.6 V
Package Dimensions — 0.400 x 0.875 inch (10.2 x 22.2 mm)
Number of Terminals — 54

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern