K4S510432D-UC75T00 vs K4S510432D-UC75 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4S510432D-UC75T00 por Samsung Electronics y K4S510432D-UC75 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4S510432D-UC75T00 - 512Mb SDRAM 133MHz TSOP II | Samsung
K4S510432D-UC75T00 ✗ Fin de vidaSamsung Electronics
K4S510432D-UC75 - 512Mb SDRAM 133MHz 54-TSOP II | Samsung
K4S510432D-UC75 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4S510432D-UC75T00 | K4S510432D-UC75 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Fin de vida | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $3,20 | $7,90 |
| Tipo de memoria | SDRAM - Synchronous DRAM | SDRAM (Synchronous DRAM) |
| Tamaño de memoria | 512 Mbit | 512 Mbit |
| Organización de memoria | 128M x 4 | 128M x 4 |
| Clock Frequency | 133 MHz | 133 MHz |
| Access Time | 65 ns | 65 ns |
| Latencia CAS | 3 (at 133 MHz) | 2 or 3 |
| Supply Voltage Range | 3.0 V to 3.6 V | — |
| I/O Interface | LVTTL | — |
| Bank Architecture | 4 banks | — |
| Burst Length | 1, 2, 4, 8, full page | 1, 2, 4, 8, full page |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | Auto-refresh and self-refresh |
| Encapsulado | 54-TSOP II | 54-TSOP II (PDSO54, 0.80 mm pitch) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS, D-die generation | CMOS, D-die |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | Commercial temperature range |
| Estado RoHS | Compliant | RoHS compliant |
| Tipo de interfaz | — | LVTTL |
| Supply Voltage Min | — | 3.0 V |
| Supply Voltage Max | — | 3.6 V |
| Package Dimensions | — | 0.400 x 0.875 inch (10.2 x 22.2 mm) |
| Number of Terminals | — | 54 |