K6X0808C1D-GF55000 vs K6X0808C1D-GF55T Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K6X0808C1D-GF55000 von Samsung Electronics und K6X0808C1D-GF55T von Samsung Electro-Mechanics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor

K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor

K6X0808C1D-GF55000 ✓ Aktiv
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K6X0808C1D-GF55000 K6X0808C1D-GF55T
Marke Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
Kategorie Memory ICs DRAM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,20 $1,85
Speichertyp SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
Speichergröße 256 Kbit 256 Kbit
Speicherorganisation 32K x 8 32K x 8
Access Time 55 ns 55 ns
Schnittstelle Parallel Parallel
Versorgungsspannung 5 V 5.0 V
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gehäuse 28-SOP 28-SOP (450 mil)
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
Write Cycle Time [DATA_NEEDED: write cycle time] —
Ausgangstyp Three-state, common data I/O —
Control Signals CE, OE, WE (active low) CE, OE, WE
Memory Format Volatile, no refresh required —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Technology Low-power CMOS —
Process Technology — Full CMOS
Active Current — [DATA_NEEDED: active current]
Data Retention Voltage — Low data retention voltage supported (per datasheet)
Address Bus Width — 15 bit
Datenbusbreite — 8 bit
Packaging — Tape & Reel (T suffix)

Datenblätter & Ressourcen

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