K6X0808C1D-GF70000 vs K6X0808C1D-GF55T Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K6X0808C1D-GF70000 von Samsung Electronics und K6X0808C1D-GF55T von Samsung Electro-Mechanics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 ✓ Aktiv
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K6X0808C1D-GF70000 K6X0808C1D-GF55T
Marke Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
Kategorie DRAM DRAM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,10 $1,85
Speichertyp SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
Speichergröße 256 Kbit 256 Kbit
Speicherorganisation 32K x 8 bit 32K x 8
Schnittstelle Parallel Parallel
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage - Min 4.5 V —
Supply Voltage - Max 5.5 V —
Technology Low Power CMOS —
Address Bus Width 15 bit (A0-A14) 15 bit
Datenbusbreite 8 bit (tri-state I/O) 8 bit
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Input/Output Levels TTL compatible —
Gehäuse 28-SOP 28-SOP (450 mil)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Versorgungsspannung — 5.0 V
Process Technology — Full CMOS
Active Current — [DATA_NEEDED: active current]
Data Retention Voltage — Low data retention voltage supported (per datasheet)
Packaging — Tape & Reel (T suffix)

Datenblätter & Ressourcen

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