K6X0808C1D-GF70000 vs K6X0808C1D-GF55T Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K6X0808C1D-GF70000 от Samsung Electronics и K6X0808C1D-GF55T от Samsung Electro-Mechanics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 ✓ Активен
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K6X0808C1D-GF70000 K6X0808C1D-GF55T
Бренд Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
Категория DRAM DRAM
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,10 $1,85
Тип памяти SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
Размер памяти 256 Kbit 256 Kbit
Организация памяти 32K x 8 bit 32K x 8
Интерфейс Parallel Parallel
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage - Min 4.5 V —
Supply Voltage - Max 5.5 V —
Technology Low Power CMOS —
Address Bus Width 15 bit (A0-A14) 15 bit
Разрядность шины данных 8 bit (tri-state I/O) 8 bit
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Input/Output Levels TTL compatible —
Корпус 28-SOP 28-SOP (450 mil)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Напряжение питания — 5.0 V
Process Technology — Full CMOS
Active Current — [DATA_NEEDED: active current]
Data Retention Voltage — Low data retention voltage supported (per datasheet)
Packaging — Tape & Reel (T suffix)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену